高通骁龙835和新一代快充技术QC4.0即将登场

时间:2016.11.18频道:手机资讯

[科技资讯]昨日高通对外宣布:将和三星合作,采用后者研发的10nm FinFET制程工艺,打造自家的新旗舰处理器骁龙835。 高通表示,采用10nm FinFET制程工艺,使得骁龙835处理器的性能能够提升27%但功耗却降低40%,并且有着更小的芯片尺寸,使得相关产品有更大的

  [科技资讯]昨日高通对外宣布:将和三星合作,采用后者研发的10nm FinFET制程工艺,打造自家的新旗舰处理器骁龙835。

高通骁龙835发布

  高通表示,采用10nm FinFET制程工艺,使得骁龙835处理器的性能能够提升27%但功耗却降低40%,并且有着更小的芯片尺寸,使得相关产品有更大的可用空间。

  目前骁龙835处理器已经投入生产,预计搭载骁龙835处理器的商用终端将于2017年上半年出货 。

  在宣布骁龙835之后,高通官方又宣布了新一代快速充电技术骁Quick Charge 4.0,根据高通所说,QC4.0相较上一代能够提升20%的充电速度以及30%的效率提升,并且能够在15分钟或更短的时间内充电至50%的电量,即便是充电5分钟也能偶延长使5个小时的使用时间。更为值得注意的是,QC4.0还集成USB Type-C以及USB-PD支持,使得通用性在某种程度上要更为广泛。

Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0Quick Charge 4.0

  在细节方面,QC4.0采用自家的Inetlligent Negotation for Optimum Voltage(最佳电压智能协商)电源管理算法,并搭配推出相关的电源管理芯片SMB1380以及SMB1381。相关的电源管理芯片将会在2016年年底供应,自然是为骁龙835处理器的机型做好提前的准备。

  看来,在明年春节之后,我们又能看到新一轮手机厂商的激烈竞争了,不出意外的话,三星S8会首发搭载骁龙835,那么紧接着之后是小米还是乐视呢?我们拭目以待!

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